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陈峰教授课题组发现“缺陷增强二维材料纵向电子迁移现象”

发布日期:2018-12-10   点击量:

近日,赌博大网站陈峰教授课题组发现,二维材料表面的缺陷可以增强多层二维材料间纵向电子迁移,该现象在光电响应、表面拉曼增强等领域均有应用价值。相关成果以“Enhancement of Out-of-Plane Charge Transport in a Vertically Stacked Two-Dimensional Heterostructure Using Point Defects”和“Enhanced Raman Scattering of CuPc Films on Imperfect WSe2 Monolayer Correlated to Exciton and Charge‐Transfer Resonances”为题分别发表在著名期刊《ACS Nano》(影响因子13.709)和《Advanced Functional Materials(影响因子13.325)上,并被期刊《Advanced Functional Materials》选为该刊的内封。两篇论文均以陈峰教授、谭杨教授为共同通讯作者,2017级硕士刘燕然为第一作者,我校为第一作者单位。

二维材料表面在制备、保存过程中,容易产生缺陷结构。缺陷会形成局域态对电子进行束缚,降低二维材料内的电子迁移率,导致二维材料的各项性质下降。目前国际上的传统解决方案是优化二维材料的制备工艺,改进材料的保护方案,使二维材料尽可能长时间保持结构完美。传统方案对材料的制备工艺、加工手段都提出了严苛的要求。针对这一个问题,陈峰教授课题反其道行之,提出缺陷虽然会降低二维材料内电子迁移率,但是可以提高层间电子迁移率;如将二维材料相互堆叠起来,缺陷可以促进纵向电子迁移,有助于构建高性能光电器件。基于该现象,陈峰教授课题组利用堆叠二维材料构建了光电传感、表面拉曼增强结构。

陈峰教授课题组多年从事离子束与晶体相互作用,以及晶体中的缺陷研究。自2016年开始,针对二维纳米材料的缺陷开展了系列研究工作,相关研究成果发表在Nano LettersACS NanoAdvanced Functional MaterialsApplied Physics Reviews等国际著名学术刊物上。 以上相关研究得到了国家自然科学基金重点项目、晶体材料国家重点实验室、我校未来学者计划、我校齐鲁青年学者计划支持。

相关连接

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.8b06503

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.201805710



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